Počet záznamů: 1
Ultrathin nanocrystalline diamond films with silicon vacancy color centers via seeding by 2 nm detonation nanodiamonds
- 1.
SYSNO ASEP 0482915 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Ultrathin nanocrystalline diamond films with silicon vacancy color centers via seeding by 2 nm detonation nanodiamonds Tvůrce(i) Stehlík, Štěpán (FZU-D) RID, ORCID
Varga, Marián (FZU-D) RID, ORCID
Štenclová, Pavla (FZU-D) ORCID
Ondič, Lukáš (FZU-D) RID, ORCID
Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Vaňek, O. (CZ)
Lipov, J. (CZ)
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Rezek, Bohuslav (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 10 Zdroj.dok. ACS Applied Materials and Interfaces. - : American Chemical Society - ISSN 1944-8244
Roč. 9, č. 44 (2017), s. 38842-38853Poč.str. 12 s. Forma vydání Tištěná - P Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova detonation nanodiamond ; surface chemistry ; hydrogenation ; zeta potential ; nucleation density ; nanocrystalline diamond ; SiV center Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP LD15003 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GBP108/12/G108 GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000415140800073 EID SCOPUS 85033594722 DOI 10.1021/acsami.7b14436 Anotace Color centers in diamonds have shown excellent potential for applications in quantum information processing, photonics, and biology. Here we report chemical vapor deposition (CVD) growth of nanocrystalline diamond (NCD) films as thin as 5−6 nm with photoluminescence (PL) from silicon-vacancy (SiV) centers at 739 nm. Instead of conventional 4−6 nm detonation nanodiamonds (DNDs), we prepared and employed hydrogenated 2 nm DNDs (zeta potential = +36 mV) to form extremely dense (∼1.3 × 1013 cm−2), thin (2 ± 1 nm), and smooth (RMS roughness < 0.8 nm) nucleation layers on an Si/SiOx substrate, which enabled the CVD growth of such ultrathin NCD films in two different and complementary microwave (MW) CVD systems: (i) focused MW plasma with an ellipsoidal cavity resonator and (ii) pulsed MW plasma with a linear antenna arrangement.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2018
Počet záznamů: 1