Počet záznamů: 1
Způsob řízení rychlosti depozice tenkých vrstev ve vakuovém vícetryskovém plazmovém systému a zařízení k provádění tohoto způsobu
- 1.
SYSNO ASEP 0481686 Druh ASEP P - Patent Zařazení RIV P - Patent nebo jiný výsledek chráněný podle zvláštních právních předpisů Název Způsob řízení rychlosti depozice tenkých vrstev ve vakuovém vícetryskovém plazmovém systému a zařízení k provádění tohoto způsobu Překlad názvu A method of controlling the rate of deposition of thin layers in a vacuum multi-nozzle plasma system and a device for implementing this method Tvůrce(i) Olejníček, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Šmíd, Jiří (FZU-D)
Hubička, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Adámek, Petr (FZU-D) RID, ORCID
Čada, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kment, Štěpán (FZU-D) RID, ORCIDRok vydání 2017 Využití jiným subj. A - Pro využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence Lic. popl. A - Poskytovatel licence požaduje licenční poplatek Číslo pat.spisu 306980 Datum udělení 13.09.2017 Vlastník patentu Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Kód vydavatele patentu CZ001 - Úřad průmyslového vlastnictví Prague Využití A - Pouze udělený (dosud nevyužívaný) patent nebo patent využívaný jeho vlastníkem Jazyk dok. cze - čeština Klíč. slova hollow cathode ; plasma nozzle ; deposition ; thin films Vědní obor RIV BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech Obor OECD Fluids and plasma physics (including surface physics) CEP TF01000084 GA TA ČR - Technologická agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Způsob řízení rychlosti depozice tenkých vrstev ve vakuovém vícetryskovém plazmovém systému využívajícím plazmochemické reakce v aktivní zóně generovaného výboje a tvořeném alespoň jednou řadou plazmatických trysek (4), jejichž pracovní trubice (42) jsou zakončeny dutou katodou (44), jejíž ústí je ustaveno v blízkosti horní plochy nosné soupravy (2) s uloženým substrátem (3), kde podstata řešení spočívá v tom, že při depozici tenké vrstvy na substrát (3) je po samostatném zapálení výbojů v každé plazmové trysce (4) a při řízení jejich parametrů prostřednictvím vnějších zdrojů (6) napětí je teplota každé duté katody (44) bezkontaktně monitorována vlastním pyrometrem (8) a na základě vyhodnocení naměřených hodnot teploty a nastavených parametrů výboje je pomocí řídicí jednotky (9) regulován efektivní proud v každé z plazmatických trysek (4) tak, aby depoziční rychlosti všech dutých katod (44) plazmatických trysek (4) byly shodné. Podstatou vynálezu je rovněž zařízení k provádění způsobu řízení rychlosti depozice. Překlad anotace The method of controlling the rate of deposition of thin layers in a vacuum multi-nozzle plasma system using plasmachemical reactions in the active zone of the generated discharge and constituted by at least one set of plasma nozzles (4), whose working tubes (42) are terminated by the hollow cathode (44) whose orifice is established in the vicinity of the upper surface of the support assembly (2) with the deposited substrate (3), wherein the principle of the solution lies in the fact that, during the deposition of the thin layer on the substrate (3), after the individual ignition of the discharges in each of the plasma nozzle (4) and during controlling their parameters by means of the external voltage sources (4), the temperature of each hollow cathode (44) is contactlessly monitored by its own pyrometer (8) and, based on the evaluation of the measured temperature values and the set parameters of the discharge, the effective current in each of the plasma nozzles (4) is controlled by the control unit (9), so that the deposition rates of all the hollow cathodes (44) of the plasma nozzles (4) were identical. A device for implementing the method of controlling the rate of deposition is also the essence of the invention. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2018 Elektronická adresa https://isdv.upv.cz/webapp/webapp.pts.det?xprim=10241583&lan=cs&s_majs=&s_puvo=&s_naze=&s_anot=
Počet záznamů: 1