Počet záznamů: 1
TMF Otimization in VGF Crystal Growth of GaAs by Artificial Neural Networks and Gaussian Process Models
- 1.
SYSNO 0477799 Název TMF Otimization in VGF Crystal Growth of GaAs by Artificial Neural Networks and Gaussian Process Models Tvůrce(i) Dropka, N. (DE)
Holeňa, Martin (UIVT-O) SAI, RID
Frank-Rotsch, C. (DE)Zdroj.dok. Electrotechnologies for Material Processing. S. 203-208. - Hannover : Vulkan, 2017 / Baake E. ; Nacke B. Konference International UIE-Congress on Electrotechnologies for Material Processing /18./, 06.06.2017, Hannover - 09.06.2017 Druh dok. Konferenční příspěvek (zahraniční konf.) Grant GA17-01251S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora UIVT-O - RVO:67985807 Jazyk dok. eng Země vyd. DE Klíč.slova crystal growth * travelling magnetic field * artificial neural networks * multilayer perceptron * Gaussian process Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0274019 Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup a0477799.pdf 5 726.2 KB Vydavatelský postprint vyžádat
Počet záznamů: 1