Počet záznamů: 1
TMF Otimization in VGF Crystal Growth of GaAs by Artificial Neural Networks and Gaussian Process Models
- 1.0477799 - ÚI 2018 RIV DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Dropka, N. - Holeňa, Martin - Frank-Rotsch, C.
TMF Otimization in VGF Crystal Growth of GaAs by Artificial Neural Networks and Gaussian Process Models.
Electrotechnologies for Material Processing. Hannover: Vulkan, 2017 - (Baake, E.; Nacke, B.), s. 203-208. ISBN 978-3-80273-095-5.
[International UIE-Congress on Electrotechnologies for Material Processing /18./. Hannover (DE), 06.06.2017-09.06.2017]
Grant CEP: GA ČR GA17-01251S
Institucionální podpora: RVO:67985807
Klíčová slova: crystal growth * travelling magnetic field * artificial neural networks * multilayer perceptron * Gaussian process
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0274019Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup a0477799.pdf 5 726.2 KB Vydavatelský postprint vyžádat
Počet záznamů: 1