Počet záznamů: 1
Magnetoresistance effects associated with various electric conduction mechanisms in nanostructured [C/FeCo]n multilayers
- 1.
SYSNO ASEP 0470617 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Magnetoresistance effects associated with various electric conduction mechanisms in nanostructured [C/FeCo]n multilayers Tvůrce(i) Zeng, Y.P. (CN)
Liu, Z.W. (CN)
Mikmeková, Eliška (UPT-D) RIDCelkový počet autorů 3 Zdroj.dok. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. - : Elsevier - ISSN 0304-8853
Roč. 421, January (2017), s. 39-43Poč.str. 5 s. Forma vydání Tištěná - P Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova magnetoresistance ; thin film ; microstructure ; conduction regime Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika Obor OECD Coating and films Institucionální podpora UPT-D - RVO:68081731 UT WOS 000396488000007 EID SCOPUS 84982847736 DOI 10.1016/j.jmmm.2016.07.072 Anotace An evolution of magnetoresistance (MR) mechanism with the film structure was discovered in nanostructured [C/FeCo]n thin films fabricated by magnetron sputtering. The discontinuous multilayer nanogranular structure was confirmed by microstructure characterization. As the layer number n increased, the MR value of the film changed from positive to negative. The fitting curves of lnR−T−1/2 and lnR−T−1/4 show that there is a transition of the conduction regime in the temperature range of 2–300 K. The significant different MR effects at various conduction regimes indicated that the type of transport regime plays an important role in MR origin. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2017
Počet záznamů: 1