Schottky contact metallization stability on AlGaN/GaN heterostructure during the diamond deposition process

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0466446
Název	Schottky contact metallization stability on AlGaN/GaN heterostructure during the diamond deposition process
Tvůrce(i)	Babchenko, O. (SK) Vanko, G. (SK) Dzuba, J. (SK) Ižák, Tibor (FZU-D)_RID Vojs, M. (SK) Lalinský, T. (SK) Kromka, Alexander (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	ASDAM 2016. S. 157-160. - Danvers : IEEE, 2016 / Haščík Š. ; Dzuba J. ; Vanko G.
Konference	International conference on advanced semiconductor devices and microsystems /11./, 13.11.2016 - 16.11.2016, Smolenice
Druh dok.	Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grant	GP14-16549P GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika
	SAV-16-02, CZ - Česká republika, SK - Slovenská republika
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	US
Klíč.slova	diamond * GaN * HEMT * transistor * metallization
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0264737

Počet záznamů: 1