Počet záznamů: 1

Zařízení k řízení depozice tenkých vrstev ve vakuovém vícetryskovém plazmovém systému

SYSNO ASEP	0466215
Druh ASEP	P1 - Užitný vzor, průmyslový vzor
Zařazení RIV	F - Výsledky s právní ochranou (užitný vzor, průmyslový vzor)
Poddruh RIV	Užitný vzor
Název	Zařízení k řízení depozice tenkých vrstev ve vakuovém vícetryskovém plazmovém systému
Překlad názvu	Device to control deposition of thin layers in vacuum multijet plasma system
Tvůrce(i)	Olejníček, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Šmíd, Jiří (FZU-D) Hubička, Zdeněk (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Adámek, Petr (FZU-D)_{RID, ORCID} Čada, Martin (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Kment, Štěpán (FZU-D)_{RID, ORCID}
Rok vydání	2016
Vlastník vzoru	Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Sídlo	Praha 8, Na Slovance 2
Datum udělení vzoru	15.11.2016
Číslo vzoru	30018
Lic. popl.	A - Poskytovatel licence požaduje licenční poplatek
Využití	A - Pouze udělený (dosud nevyužívaný) patent nebo patent využívaný jeho vlastníkem
Využití jiným subjektem	A - Pro využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Kód vydavatele patentu	CZ001 - Úřad průmyslového vlastnictví Prague
Jazyk dok.	cze - čeština
Klíč. slova	plasma jet ; thin films ; hollow cathode ; sputtering
Vědní obor RIV	BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech
Obor OECD	Fluids and plasma physics (including surface physics)
CEP	TF01000084 GA TA ČR - Technologická agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Anotace	Technické řešení spadá do oblasti aplikace technologických postupů při vytváření tenkých vrstev, zejména čistých kovů, jejich oxidů, nitridů či dalších sloučenin, na povrchu substrátu a týká se zařízení k řízení depozice tenkých vrstev ve vakuovém vícetryskovém plazmovém systému při využití plazmochemických reakcí v aktivní zóně generovaného výboje. Řešení je uzpůsobeno zejména ve spojení s uplatněním technologií plazmové trysky pracující na principu výboje v duté katodě hořící v režimu HCA (Hollow Cathode Arc).
Překlad anotace	Technical solution belongs to area of application of technological processes for deposition of thin films, namely pure metals, their oxides, nitrides or other compounds on the substrate surface and is focused on device for controlling the deposition of thin films by vacuum multi-plasma-jet system using plasma chemical reactions in the active zone of generated discharge. Solution is adapted particularly in connection with the technology of the plasma jet working on the principle of hollow cathode discharge burning in HCA regime(Hollow Cathode Arc).
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2017
Elektronická adresa	https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/UtilityModels/FullDocuments/FDUM0030/uv030018.pdf

Počet záznamů: 1