Počet záznamů: 1
Príprava hybridných heteroštruktúr na báze dopovaných diamantových a ZnO vrstiev
- 1.
SYSNO ASEP 0434843 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Príprava hybridných heteroštruktúr na báze dopovaných diamantových a ZnO vrstiev Překlad názvu Preparation of hybrid heterostructures based on doped diamond and zinc oxide films Tvůrce(i) Marton, M. (SK)
Mikolášek, M. (SK)
Vojs, M. (SK)
Kotlár, M. (SK)
Flickyngerová, S. (SK)
Kozak, Halyna (FZU-D) RID, ORCID
Ižák, Tibor (FZU-D) RID
Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
Varga, Marián (FZU-D) RID, ORCID
Artemenko, Anna (FZU-D) RID, ORCID
Novotný, I. (SK)Zdroj.dok. Material analysis in vacuum. - Bratislava : Slovenská vákuová spoločnosť, 2014 / Michalka M. ; Vincze A. ; Veselý M. - ISBN 978-80-971179-4-8 Rozsah stran s. 16-19 Poč.str. 4 s. Forma vydání Tištěná - P Akce School of Vacuum Technology /17./ Datum konání 02.10.2014-05.10.2014 Místo konání Štrbské Pleso Země SK - Slovensko Typ akce EUR Jazyk dok. slo - slovenština Země vyd. SK - Slovensko Klíč. slova boron doped diamond films ; ZnO films ; hybrid heterostructures ; electrical measurements Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP 7AMB14SK024 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Dopovaný diamant je unikátny materiál s nespočetným množstvom aplikácií najmä vďaka jeho fyzikálnym a chemickým vlastnostiam. Diamant typu P možno vyrobiť relatívne jednoducho pridaním plynu obsahujúceho bór (diborán, trimetylborán) do zmesi plynov používaných pri raste diamantovej vrstvy (CH4/H2) technológiou chemickej depozície z pár (CVD), diamant typu však N nie je možné pripraviť použitím “klasických“ donorov ako sú fosfor a arzén. Ďalším z rady širokopásmových polovodivých materiálov je oxid zinku (ZnO) so šírkou zakázaného pásma 3,37 eV, ktorá je až 3x väčšia ako v prípade GaN alebo ZnSe. ZnO s vodivosťou typu N možno pripraviť dopovaním napríklad prvkami Ga, Al, Sc alebo Mn. Výroba bipolárnej ZnO heteroštruktúry je na rozdiel od diamantu obmedzená problémami s dopovaním typu P. Perspektívnym riešením problému absencie jedného typu vodivosti v obidvoch polovodičoch pri príprave heteroštruktúry je použitie diamantu typu P a ZnO typu N. Překlad anotace Doped diamond is a unique material for a different applications because of its physical and chemical properties. P-type diamond can be produced relatively easily by adding a boron containing gas (diborane, trimetylboran) to a mixture of gases used for a growth of diamond films (CH4/H2) by chemical vapor deposition (CVD). But N-type diamond can not be prepared by using "classical" donors such as phosphorus and arsenic. Another series broadband semiconductor material is zinc oxide (ZnO) having a band gap of 3.37 eV, which is 3 times greater than in the case of ZnSe or GaN. ZnO with N-type conductivity can be prepared, for example, doping elements Ga, Al, Sc and Mn. Production bipolar ZnO heterostructures is unlike diamond limited problems prospective P type doping solution to the problem of absence of one conductivity type in both the preparation of semiconductors, the use of diamond heterostructures P-type and N-type ZnO. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2015
Počet záznamů: 1