Počet záznamů: 1
Effect of the lower and upper interfaces on the quality of InAs/GaAs quantum dots
- 1.
SYSNO ASEP 0431316 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Effect of the lower and upper interfaces on the quality of InAs/GaAs quantum dots Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Vyskočil, Jan (FZU-D) RID
Komninou, Ph. (GR)
Kioseoglou, J. (GR)
Florini, N. (GR)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Applied Surface Science. - : Elsevier - ISSN 0169-4332
Roč. 301, SI (2014), 173-177Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova quantum dots ; InAs ; GaAs ; GaAsSb ; reflectance anisotropy spectroscopy Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA13-15286S GA ČR - Grantová agentura ČR LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy 7AMB12GR034 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000335095600027 EID SCOPUS 84897916367 DOI 10.1016/j.apsusc.2014.02.033 Anotace The aim of this work is to influence QD formation by improving the lower and upper InAs/GaAs QD interface quality. Lower interface: a good epitaxial surface planarity is required for QD formation with high QD density and narrow size distribution. We demonstrate the improvement of the QD size distribution and homogeneity, when the growth rate of the buffer layer was decreased. Upper interface formed during the covering process: InAs quantum dots were capped by GaAs or by GaAsSb. The presence of Sb atoms in covering layer strongly influences the interface abruptness. In the case of GaAs covering layer, an InGaAs layer with gradual decrease of In concentration is unintentionally formed at the interface between InAs and GaAs. The presence of Sb in GaAsSb covering layer helps to form abrupt interface between InAs and covering layer. An optimal GaAsSb composition profile is suggested to prevent dissolution of QDs during the covering process and to minimize the amount of surfacting In atoms. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2015
Počet záznamů: 1