Počet záznamů: 1
Local photoconductivity of microcrystalline silicon thin films excited by 442 nm HeCd laser measured by conductive atomic force microscopy
- 1.
SYSNO ASEP 0386854 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Local photoconductivity of microcrystalline silicon thin films excited by 442 nm HeCd laser measured by conductive atomic force microscopy Tvůrce(i) Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Vetushka, Aliaksi (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Journal of Non-Crystalline Solids. - : Elsevier - ISSN 0022-3093
Roč. 358, č. 17 (2012), s. 2082-2085Poč.str. 5 s. Akce International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS) /24./ Datum konání 21.08.2011-26.08.2011 Místo konání Nara Země JP - Japonsko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova amorphous and nanocrystalline silicon films ; atomic force microscopy (AFM) ; local photoconductivity Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LC06040 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy MEB061012 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KAN400100701 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000310394700037 EID SCOPUS 84865778401 DOI 10.1016/j.jnoncrysol.2012.01.015 Anotace Microcrystalline silicon (μc-Si:H) thin films were studied by photo-conductive atomic force microscopy (PC-AFM) under top side illumination by HeCd 442 nm laser and/or by scattered light of AFM detection diode. In order to make the top side illumination possible, so called “nose” type cantilevers, with the tip at the end of cantilever, were used for local photo-current map measurements. Local current intensity under different illumination is discussed mainly from a point of view of the absorption depth of the used light. Diffusion length of charge carriers ~ 300 nm was estimated from comparison of the current levels under different illumination. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2013
Počet záznamů: 1