Počet záznamů: 1
Light trapping abilities of silicon thin films measured by Raman spectroscopy
- 1.
SYSNO ASEP 0386621 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Light trapping abilities of silicon thin films measured by Raman spectroscopy Tvůrce(i) Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hakl, M. (CZ)
Ondič, Lukáš (FZU-D) RID, ORCID
Ganzerová, K. (CZ)
Vetushka, Aliaksi (FZU-D) RID, ORCID
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Proceedings of the 27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition. - München : WIP Wirtschaft und Infrastruktur GmbH & Co Planungs KG, 2012 / Nowak S. - ISBN 3-936338-28-0 Rozsah stran s. 2431-2433 Poč.str. 3 s. Forma vydání Nosič - C Akce European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (PVSEC) /17./ Datum konání 24.09.2012-28.09.2012 Místo konání Frankfurt Země DE - Německo Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova light trapping ; polycrystalline silicon (Si) ; thin film solar cell ; Raman spectoscopy Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP 7E10061 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy FR-TI2/736 GA MPO - Ministerstvo průmyslu a obchodu CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) DOI 10.4229/27thEUPVSEC2012-3CV.2.24 Anotace Raman spectroscopy is used as a tool for measuring the light trapping abilities of thin crystalline silicon films for photovoltaic applications. Comparison of samples with different scattering characteristic is reported and the significant difference in the absolute Raman intensities is explained by light trapping effects. Raman spectroscopy is proposed as a promising tool for in-line characterization of silicon thin films during fabrication of solar cell modules. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2013
Počet záznamů: 1