0365408 - ÚJF 2012 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Sofer, Z. - Sedmidubský, D. - Moram, M. - Macková, Anna - Buchal, C. - Hardtdegen, H. - Václavů, M. - Peřina, Vratislav - Groetzschel, R. - Mikulics, M. - Hejtmánek, Jiří - Maryško, Miroslav
Magnetism in GaN layers implanted by La, Gd, Dy and Lu.
Thin Solid Films. Roč. 519, č. 18 (2011), s. 6120-6125. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
Grant CEP: GA ČR GA104/09/1269; GA ČR GA106/09/0125; GA ČR GA104/09/0621
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10480505; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: Magnetic semiconductors * III-V semiconductors * Ion implantation * X-ray diffraction * Rutherford backscattering spectroscopy
Kód oboru RIV: BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
Impakt faktor: 1.890, rok: 2011 ; AIS: 0.596, rok: 2011
DOI: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2011.04.110
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0200656