Počet záznamů: 1  

Charge exchange between low energy Si ions and Cs adatoms

  1. 1.
    SYSNO ASEP0358922
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevCharge exchange between low energy Si ions and Cs adatoms
    Překlad názvuNábojová výměna mezi nizkoenergetickými ionty Si a adatomy Cs
    Tvůrce(i) Chen, X. (US)
    Šroubek, Zdeněk (URE-Y)
    Yarmoff, J. A. (US)
    Zdroj.dok.Surface Science. - : Elsevier - ISSN 0039-6028
    Roč. 602, č. 2 (2008), s. 620-629
    Poč.str.10 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.NL - Nizozemsko
    Klíč. slovaion-surface impact ; scattering ; silicon ; alkali metals
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPMEB060715 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    UT WOS000253277900032
    AnotaceUnexpectedly large yields of positive and negative ions are produced when 2 and 5 keV Si+ is singly scattered from Cs adatoms on Al(100) and Si(111).This is in contrast with Li+, in which case the ions are almost completely neutralized. The Si+ ions likely result from valence electron resonant transfer (RCT) enhanced by promotion of the ionization level as it interacts with the Cs 2p level.
    PracovištěÚstav fotoniky a elektroniky
    KontaktPetr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488
    Rok sběru2011
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.