Počet záznamů: 1
Microscopic analysis of the valence band and impurity band theories of (Ga,Mn)As
- 1.
SYSNO ASEP 0357129 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Microscopic analysis of the valence band and impurity band theories of (Ga,Mn)As Tvůrce(i) Mašek, Jan (FZU-D) RID
Máca, František (FZU-D) RID, ORCID
Kudrnovský, Josef (FZU-D) RID, ORCID
Makarovský, O. (GB)
Eaves, L. (GB)
Campion, R. P. (GB)
Edmonds, K. W. (GB)
Rushforth, A.W. (GB)
Foxon, C. T. (GB)
Gallagher, B. L. (GB)
Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
Sinova, Jairo (FZU-D) RID, ORCID
Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCIDZdroj.dok. Physical Review Letters. - : American Physical Society - ISSN 0031-9007
Roč. 105, č. 22 (2010), 227202/1-227202/4Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova gallium arsenide ; semiconductors Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA202/07/0456 GA ČR - Grantová agentura ČR LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100520 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000284532900026 DOI 10.1103/PhysRevLett.105.227202 Anotace We analyze microscopically the valence and impurity band models of ferromagnetic (Ga,Mn)As. We find that the tight-binding Anderson approach with conventional parametrization and the full potential local-density approximation+U calculations give a very similar band structure whose microscopic spectral character is consistent with the physical premise of the k·p kinetic-exchange model. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1