Počet záznamů: 1  

Fourier transform photocurrent measurement of thin silicon films on rough, conductive and opaque substrates

  1. 1.
    SYSNO ASEP0338185
    Druh ASEPA - Abstrakt
    Zařazení RIVNení vybrán druh dokumentu
    NázevFourier transform photocurrent measurement of thin silicon films on rough, conductive and opaque substrates
    Překlad názvuFourierovské fotovodivostní měření tenkých vrstev amorfního křemíku na hrubých opticky neprůhledných a vodivých substrátech
    Tvůrce(i) Holovský, Jakub (FZU-D) RID, ORCID
    Ižák, T. (SK)
    Poruba, Aleš (FZU-D) RID
    Vaněček, Milan (FZU-D) RID
    Hamers, E.A.G. (NL)
    Zdroj.dok.ICANS23 - 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystaline Semiconductors. Book of Abstracts. - Utrecht : Utrecht University, 2009 - ISBN N
    S. 332-332
    Poč.str.1 s.
    AkceInternational Conference on Amorphous and Nanocrystaline Semiconductors /23./ (ICANS23)
    Datum konání23.08.2009-28.08.2009
    Místo konáníUtrecht
    ZeměNL - Nizozemsko
    Typ akceWRD
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.NL - Nizozemsko
    Klíč. slovathin film silicon ; photoconductivity ; optical modeling
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPGA202/09/0417 GA ČR - Grantová agentura ČR
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    AnotaceFourier transform photocurrent spectroscopy (FTPS) is used as an inspection method for thin films of hydrogenated amorphous silicon deposited on aluminium foil and aluminium foil coated with rough SnO2. These structures are part of roll-to-roll solar cell fabrication process. Measurement technique utilizes transparent electrode in a sandwich arrangement. An elaborate calculation procedure is used to correct the measurement for the optical effects in order to obtain spectra of optical absorption coefficient. Correction procedure is based partly on analytical formulae and partly on Monte-Carlo simulations. We compared quality of thin layers deposited by PECVD on glass and aluminium foil with and without rough layer of SnO2. We observed positive effect of aluminium and SnO2 on layer quality and effect of bandgap shift.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2010
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.