Počet záznamů: 1
Conjugated Silicon – Based Polymer Resists for Nanotechnologies: EB and UV Mediated Degradation Processes in Polysilanes
- 1.
SYSNO ASEP 0335299 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Conjugated Silicon – Based Polymer Resists for Nanotechnologies: EB and UV Mediated Degradation Processes in Polysilanes Tvůrce(i) Schauer, F. (CZ)
Schauer, Petr (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Kuřitka, I. (CZ)
Hua, B. (CN)Celkový počet autorů 4 Zdroj.dok. Proceedings of the 4th Czech-Japan-China Cooperative Symposium on Nanostructure of Advanced Materials and Nanotechnology (CJCS’09). - Brno : ISI AS CR, 2009 / Pokorná Zuzana ; Mika Filip - ISBN 978-80-254-4535-8 Rozsah stran s. 28 Poč.str. 1 s. Akce CJCS’09 - Czech-Japan-China Cooperative Symposium on Nanostructure of Advanced Materials and Nanotechnology /4./ Datum konání 10.08.2009-14.08.2009 Místo konání Brno Země CZ - Česká republika Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova photoluminescence ; cathodoluminescence ; silicon-based polymer resist Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEZ AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011) Anotace The main purpose of this paper is to compare the photoluminescence (PL) and cathodoluminescence (CL) after major degradation, predominantly in long wavelength range 400 - 600 nm, studying the disorder due to dangling bonds, conformational transformations and weak bonds created by the degradation process. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1