Počet záznamů: 1  

On Boron Diffusion in MgF2

  1. 1.
    SYSNO ASEP0323218
    Druh ASEPO - Ostatní výsledky
    Zařazení RIVO - Ostatní
    NázevOn Boron Diffusion in MgF2
    Překlad názvuO difúzi bóru v MgF2
    Tvůrce(i) Vacík, Jiří (UJF-V) RID, ORCID, SAI
    Hnatowicz, V. (CZ)
    Červená, Jarmila (UJF-V)
    Pošta, S. (CZ)
    Koester, Ulli. (DE)
    Pasold, G. (DE)
    Celkový počet autorů6
    Rok vydání2009
    EdiceAIP Conference Proceedings
    Č. sv. edice1099
    Poč.str.4 s.
    Forma vydáníWWW - WWW
    AkceCAARI 2008, 20th International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry
    Datum konání10.8.2009-15.8.2009
    Místo konáníDallas, Forth-Worth
    ZeměUS - Spojené státy americké
    Typ akceWRD
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Vydání1
    Klíč. slovaIon irradiation ; Boron ; MgF2 ; Diffusion ; Neutron Depth Profiling
    Vědní obor RIVBG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
    CEP1H-PK2/05 GA MPO - Ministerstvo průmyslu a obchodu
    LC06041 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    CEZAV0Z1048901 - UJF-V
    AV0Z10480505 - UJF-V (2005-2011)
    AnotaceThe MgF2 monocrystals were irradiated with 390 keV B+ ions up to the fluence of 1016 cm-2. The irradiated samples were annealed at the temperatures 200º - 700ºC for the times ranging from 2 – 100 hours. After each annealing step, the boron depth distribution was determined using the neutron depth profiling technique. As implanted, the depth distributions of boron exhibited standard Gaussian-like forms. Annealing at temperatures up to 400ºC did not change the depth profiles. Annealing at 600ºC, however, led to a one-way gradual transfer of the boron atoms from the site of implantation towards the sample surface, and in this way a bimodal profile was created. The amount of boron atoms, transferred to the sample surface, was an increasing function of the annealing time. After annealing at 700ºC for 64 hours the bimodal profile collapsed into a single broad distribution, extending from the sample surface up to the implantation depth.
    PracovištěÚstav jaderné fyziky
    KontaktMarkéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228
    Rok sběru2009
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.