Počet záznamů: 1
On the magnetic properties of Gd implanted GAN
- 1.
SYSNO ASEP 0313176 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název On the magnetic properties of Gd implanted GAN Překlad názvu O magnetických vlastnostech GaN s implantovaným Gd Tvůrce(i) Hejtmánek, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Knížek, Karel (FZU-D) RID, ORCID
Maryško, Miroslav (FZU-D) RID
Jirák, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Sedmidubský, D. (CZ)
Sofer, Z. (CZ)
Peřina, Vratislav (UJF-V) RID
Hardtdegen, H. (DE)
Buchal, C. (DE)Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. - : AIP Publishing - ISSN 0021-8979
Roč. 103, č. 7 (2008), 07D107/1-07D107/3Poč.str. 3 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova ferromagnetic materials ; gadolinium ; gallium compounds ; III-V semiconductors ; ion implantation Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA104/06/0642 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) AV0Z10480505 - UJF-V (2005-2011) UT WOS 000255043200387 DOI https://doi.org/10.1063/1.2830644 Anotace Thin films of GaN semiconductor, grown on sapphire substrate, have been implanted using a flux of Gd ions. The material obtained exhibits weak ferromagnetism persisting up to 700 K. The experiments show that ferromagnetic ordering is property of weakly doped Ga1-xGdxN (x<0.01), while higher Gd concentrations lead to Curie-type paramagnetism only. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2009
Počet záznamů: 1