Počet záznamů: 1
Growth and properties of InAs/In.sub.x./sub.Ga.sub.1-x./sub.As/GaAs quantum dot structures
- 1.
SYSNO 0308047 Název Growth and properties of InAs/InxGa1-xAs/GaAs quantum dot structures Překlad názvu Růst a vlastnosti InAs/InxGa1-xAs/GaAs struktur s kvantovými tečkami Tvůrce(i) Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Vyskočil, Jan (FZU-D) RID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Melichar, Karel (FZU-D)
Šimeček, Tomislav (FZU-D)Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. Roč. 310, 7-9 (2008), s. 2229-2233. - : Elsevier Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant KJB101630601 GA AV ČR - Akademie věd IAA100100719 GA AV ČR - Akademie věd GA202/06/0718 GA ČR - Grantová agentura ČR GA202/05/0242 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Jazyk dok. eng Země vyd. NL Klíč.slova nanostructures * metalorganic vapor-phase epitaxy * semiconducting III–V materials Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0160642
Počet záznamů: 1