Počet záznamů: 1
Origin of the photoluminescence line at 0.8 eV in undoped and Si-doped GaSb grown by MOVPE
- 1.
SYSNO 0303955 Název Origin of the photoluminescence line at 0.8 eV in undoped and Si-doped GaSb grown by MOVPE Tvůrce(i) Agert, C. (DE)
Gladkov, Petar (URE-Y)
Bett, A. W. (DE)Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Roč. 17, č. 1 (2002), s. 39-46. - : Institute of Physics Publishing Druh dok. Článek v odborném periodiku CEZ AV0Z2067918 - URE-Y Jazyk dok. eng Země vyd. GB Klíč.slova photoluminescence * silicon * epitaxial growth Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0114099
Počet záznamů: 1