Počet záznamů: 1  

Origin of the photoluminescence line at 0.8 eV in undoped and Si-doped GaSb grown by MOVPE

  1. 1.
    SYSNO0303955
    NázevOrigin of the photoluminescence line at 0.8 eV in undoped and Si-doped GaSb grown by MOVPE
    Tvůrce(i) Agert, C. (DE)
    Gladkov, Petar (URE-Y)
    Bett, A. W. (DE)
    Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Roč. 17, č. 1 (2002), s. 39-46. - : Institute of Physics Publishing
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    CEZAV0Z2067918 - URE-Y
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.GB
    Klíč.slova photoluminescence * silicon * epitaxial growth
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0114099
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.