Počet záznamů: 1
Ga.sub.1-x./sub.In.sub.x./sub.SB-MOVPE growth and thermodynamic model
- 1.
SYSNO ASEP 0303796 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Ga1-xInxSB-MOVPE growth and thermodynamic model Tvůrce(i) Kosíková, Jitka (URE-Y)
Leitner, J. (CZ)
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Melichar, Karel (FZU-D)
Jurek, K. (FZU-D)
Drbohlav, Ivo (FZU-D) RID, ORCID
Stejskal, J. (CZ)Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 0268-1242
Roč. 16, č. 9 (2001), s. 759-762Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova semiconductor growth ; semiconductor materials ; thermodynamics Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA202/98/P254 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z2067918 - URE-Y Anotace The aim of this work was to prepare good-quality Ga1-xInxSb ternary laeyrs using MOVPE growth. The quality of the layer surfaces was inspected by atomic force microscopy. The experimental results obtained were compared with the calculated deposition diagrams. The composition of grown ternary layers was determined using x-ray microanalysis. Dependence of the solid-phase composition on the gaseous-phase composition in the system was compared with the calculated results on the bases of the thermodynamic model. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2002
Počet záznamů: 1