Počet záznamů: 1
SLEEM Imaging of Doping Patterns in Semiconductors
- 1.
SYSNO ASEP 0205406 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název SLEEM Imaging of Doping Patterns in Semiconductors Tvůrce(i) Müllerová, Ilona (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCID
El Gomati, M. M. (GB)Zdroj.dok. Proceedings of 5th Multinational Congress on Electron Microscopy. - Lecce : Rinton Press, 2001 / Dini L. ; Catalano M. - ISBN 1-58949-003-7 Rozsah stran s. 317-318 Poč.str. 2 s. Akce MCEM '01 /5./ - Multinational Congress on Electron Microscopy Datum konání 20.09.2001-25.09.2001 Místo konání Lecce Země IT - Itálie Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. IT - Itálie Klíč. slova UHV SEM ; low energy range Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP IAA1065901 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z2065902 - UPT-D Anotace P + doped patterns in n-type Si were observed in a UHV SEM equipped with the cathode lens, i.e. in the SLEEM mode. In the low energy range below 6 keV, p-type appeared brighter than n-type. The contrast reaches its maximum at 50 to 100 eV, which value fits that of the shortest penetration depth of electrons. This supports explanation based on influence of the internal field connected with the band bending caused by presence of the surface states. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2002
Počet záznamů: 1