Počet záznamů: 1  

SLEEM Imaging of Doping Patterns in Semiconductors

  1. 1.
    SYSNO ASEP0205406
    Druh ASEPC - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
    Zařazení RIVD - Článek ve sborníku
    NázevSLEEM Imaging of Doping Patterns in Semiconductors
    Tvůrce(i) Müllerová, Ilona (UPT-D) RID, SAI, ORCID
    Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCID
    El Gomati, M. M. (GB)
    Zdroj.dok.Proceedings of 5th Multinational Congress on Electron Microscopy. - Lecce : Rinton Press, 2001 / Dini L. ; Catalano M. - ISBN 1-58949-003-7
    Rozsah strans. 317-318
    Poč.str.2 s.
    AkceMCEM '01 /5./ - Multinational Congress on Electron Microscopy
    Datum konání20.09.2001-25.09.2001
    Místo konáníLecce
    ZeměIT - Itálie
    Typ akceWRD
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.IT - Itálie
    Klíč. slovaUHV SEM ; low energy range
    Vědní obor RIVJA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    CEPIAA1065901 GA AV ČR - Akademie věd
    CEZAV0Z2065902 - UPT-D
    AnotaceP + doped patterns in n-type Si were observed in a UHV SEM equipped with the cathode lens, i.e. in the SLEEM mode. In the low energy range below 6 keV, p-type appeared brighter than n-type. The contrast reaches its maximum at 50 to 100 eV, which value fits that of the shortest penetration depth of electrons. This supports explanation based on influence of the internal field connected with the band bending caused by presence of the surface states.
    PracovištěÚstav přístrojové techniky
    KontaktMartina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178
    Rok sběru2002

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.