Low Temperature Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) of TiN on Si Substrates

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0179279
Název	Low Temperature Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) of TiN on Si Substrates
Tvůrce(i)	Nohava, Jiří (UFP-V) Jedrzejowski, P. (PL)
Zdroj.dok.	Workshop ČVUT 2001. s. 458-459. - Praha : ČVUT Praha, 2001
Konference	Workshop ČVUT 2001., Praha, 05.02.2001-07.02.2001
Druh dok.	Abstrakt
CEZ	AV0Z2043910 - UFP-V
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	CZ
Klíč.slova	PECVD, titanum nitride, low temperature
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0076081

Počet záznamů: 1