Počet záznamů: 1  

Low Temperature Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) of TiN on Si Substrates

    1.
    SYSNO ASEP0179279
    Druh ASEPA - Abstrakt
    Zařazení RIVZáznam nebyl označen do RIV
    Zařazení RIVNení vybrán druh dokumentu
    NázevLow Temperature Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) of TiN on Si Substrates
    Tvůrce(i) Nohava, Jiří (UFP-V)
    Jedrzejowski, P. (PL)
    Zdroj.dok.Workshop ČVUT 2001. - Praha : ČVUT Praha, 2001 - ISBN 80-01-02335-4
    s. 458-459
    Poč.str.2 s.
    AkceWorkshop ČVUT 2001.
    Datum konání05.02.2001-07.02.2001
    Místo konáníPraha
    ZeměCZ - Česká republika
    Typ akceEUR
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.CZ - Česká republika
    Klíč. slovaPECVD, titanum nitride, low temperature
    Vědní obor RIVJK - Koroze a povrchové úpravy materiálů
    CEZAV0Z2043910 - UFP-V
    PracovištěÚstav fyziky plazmatu
    KontaktVladimíra Kebza, kebza@ipp.cas.cz, Tel.: 266 052 975
    Rok sběru2004

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.

Přijmout všeNastaveníOdmítnout vše