Počet záznamů: 1
Low Temperature Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) of TiN on Si Substrates
SYS 0179279 LBL 00000nam^^22^^^^^^^^450 005 20240103175510.3 101 0-
$a eng 102 $a CZ 200 1-
$a Low Temperature Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) of TiN on Si Substrates 215 $a 2 s. 463 -1
$1 200 1 $a Workshop ČVUT 2001 $v s. 458-459 $1 010 $a 80-01-02335-4 $1 210 $a Praha $c ČVUT Praha $d 2001 $1 225 1 $v A 610 1-
$a PECVD, titanum nitride, low temperature 700 -1
$3 cav_un_auth*0101406 $a Nohava $b Jiří $p UFP-V $4 070 $T Ústav fyziky plazmatu AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0082436 $a Jedrzejowski $b P. $y PL $4 070
Počet záznamů: 1