Local electronic transport in microrystalline silicon observed by combined atomic force microscopy

Počet záznamů: 1

SYSNO ASEP	0132973
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Ostatní články
Název	Local electronic transport in microrystalline silicon observed by combined atomic force microscopy
Tvůrce(i)	Fejfar, Antonín (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Rezek, Bohuslav (FZU-D)_{RID, ORCID} Knápek, Petr (FZU-D) Stuchlík, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Kočka, Jan (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	Journal of Non-Crystalline Solids. - : Elsevier - ISSN 0022-3093 266-269, - (2000), s. 309-314
Poč.str.	6 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	NL - Nizozemsko
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	IAA1010809 GA AV ČR - Akademie věd
	GA202/98/0669 GA ČR - Grantová agentura ČR
CEZ	AV0Z1010914 - FZU-D
Anotace	Atomic force microscopy with conductive cantilever was use to map local conductance of the microcrystalline silicon t different stages of growth.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2001

Počet záznamů: 1