Počet záznamů: 1  

Surface-morphology evolution during unstable homoepitaxial growth of GaAs(101)

    1.
    SYSNO ASEP0132183
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JOstatní články
    NázevSurface-morphology evolution during unstable homoepitaxial growth of GaAs(101)
    Tvůrce(i) Tejedor, P. (ES)
    Šmilauer, Pavel (FZU-D)
    Roberts, C. (GB)
    Joyce, B. A. (GB)
    Zdroj.dok.Physical Review. B - ISSN 0163-1829
    Roč. 59, č. 3 (1999), s. 2341-2345
    Poč.str.5 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPGA202/96/1736 GA ČR - Grantová agentura ČR
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2000

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.

Přijmout všeNastaveníOdmítnout vše