Počet záznamů: 1  

Femtosecond dephasing in porous silicon

  1. 1.
    SYSNO ASEP0131972
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JOstatní články
    NázevFemtosecond dephasing in porous silicon
    Tvůrce(i) Moniatte, J. (FR)
    Honerlage, B. (FR)
    Lévy, R. (FR)
    Tomasiunas, R. (LT)
    Pelant, Ivan (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Zdroj.dok.Thin Solid Films. - : Elsevier - ISSN 0040-6090
    Roč. 297, - (1997), s. 135-137
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.NL - Nizozemsko
    CEPIAA1010528 GA AV ČR - Akademie věd
    GA202/95/1445 GA ČR - Grantová agentura ČR
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru1999

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.