Preparation and properties of GaInP.sub.2./sub./GaAs heterostructures
1.
SYSNO ASEP
0105962
Druh ASEP
C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV
D - Článek ve sborníku
Název
Preparation and properties of GaInP2/GaAs heterostructures
Překlad názvu
Příprava a vlastnosti heterostruktur GaInP2/GaAs
Tvůrce(i)
Nohavica, Dušan (URE-Y) Gladkov, Petar (URE-Y) Žďánský, Karel (URE-Y)
Zdroj.dok.
ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. - Piscataway : IEEE, 2004 / Osvald J. ; Haščík Š.
- ISBN 0-7803-8535-7
Rozsah stran
s. 57-60
Poč.str.
4 s.
Akce
Advanced Semiconductor Devices and Microsystems - ASDAM'04 /5./
Datum konání
17.10.2004-21.10.2004
Místo konání
Smolenice
Země
SK - Slovensko
Typ akce
WRD
Jazyk dok.
eng - angličtina
Země vyd.
US - Spojené státy americké
Klíč. slova
semiconductors ; photoluminescence ; electric properties
Vědní obor RIV
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP
ME 610 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
CEZ
AV0Z2067918 - URE-Y
Anotace
Growth of the GaxIn1-xP/GaAs (100)heterostructures from the liquid phase was optimised at 800oC to obtain thick epitaxial layers. Experimental conditions for growth of the mirror like, morphological defects free structures are very narrow. Capping the ternary layer by GaAs grown from Bi or Bi-Ga melt was investigated as well. New model of the substrate planarity related defects have been suggested. Sharp boundary between ordered and disordered dislocations network in the top Bi:GaAs layer was observed and lattice misfit has been compensated by In addition to produce Bi:GaxIn1-x As /x>0.95/.
