Počet záznamů: 1
Preparation and properties of GaInP.sub.2./sub./GaAs heterostructures
SYS 0105962 LBL 02771^^^^^2200301^^^450 005 20240103173119.1 100 $a 20050422d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a US 200 1-
$a Preparation and properties of GaInP2/GaAs heterostructures 215 $a 4 s. 463 -1
$1 010 $a 0-7803-8535-7 $1 200 1 $a ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems $v s. 57-60 $1 210 $a Piscataway $c IEEE $d 2004 $1 702 1 $a Osvald $b J. $4 340 $1 702 1 $a Haščík $b Š. $4 340 541 1-
$a Příprava a vlastnosti heterostruktur GaInP2/GaAs $z cze 610 0-
$a semiconductors 610 0-
$a photoluminescence 610 0-
$a electric properties 700 -1
$3 cav_un_auth*0101713 $a Nohavica $b Dušan $p URE-Y $4 070 $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0101660 $a Gladkov $b Petar $p URE-Y $4 070 $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0101770 $a Žďánský $b Karel $p URE-Y $4 070 $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1