Počet záznamů: 1  

In-plane magnetic field-dependent magnetoresistance of gated asymmetric double quantum wells

  1. SYS0100326
    LBL
      
    00000nam^^22^^^^^^^^450
    005
      
    20210803154417.8
    101
    0-
    $a eng
    102
      
    $a NL
    200
    1-
    $a In-plane magnetic field-dependent magnetoresistance of gated asymmetric double quantum wells
    215
      
    $a 4 s.
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0255709 $1 011 $a 1386-9477 $e 1873-1759 $1 200 1 $a Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures $v Roč. 22, - (2004), s. 44-47 $1 210 $c Elsevier
    541
      
    $a Magnetorezistence dvojitých kvantových jam s hradlem v paralelním magnetickém poli $z cze
    610
    1-
    $a double-layer two-dimensional electron system
    610
    1-
    $a magnetotransport
    610
    1-
    $a gate voltage
    700
    -1
    $a Krupko $b Yuriy $p FZU-D $4 070 $3 cav_un_auth*0100642 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $a Smrčka $b Ludvík $p FZU-D $w Spintronics and Nanoelectronics $4 070 $3 cav_un_auth*0100519 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $a Vašek $b Petr $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $3 cav_un_auth*0100608 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $a Svoboda $b Pavel $p FZU-D $4 070 $3 cav_un_auth*0100542 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $a Cukr $b Miroslav $p FZU-D $4 070 $3 cav_un_auth*0100166 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $a Jansen $b L. $y FR $4 070 $3 cav_un_auth*0016399

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.