Počet záznamů: 1
Why is it That Differently Doped Regions in Semiconductors are Visible in Low Voltage SEM?
- 1.
SYSNO ASEP 0100007 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Why is it That Differently Doped Regions in Semiconductors are Visible in Low Voltage SEM? Překlad názvu Proč jsou různě dopované oblasti v polovodiči viditelné v nízko-napěťovém REM? Tvůrce(i) El Gomati, M. M. (GB)
Wells, T. C. R. (GB)
Müllerová, Ilona (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Jayakody, H. (GB)Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices - ISSN 0018-9383
Roč. 51, č. 2 (2004), s. 288-292Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova doping of semiconductors ; SEM imaging ; inspection of patterns Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP IAA1065304 GA AV ČR - Akademie věd Anotace Although doped regions in semiconductors have been shown to give a different secondary electron yield in low-voltage scanning electron microscopy, the basic interpretation of this contrast has been difficult. It is accepted that this contrast stem from electronic phenomenon rather than atomic number differences between differently doped regions. However, the question is whether variations in the patch fields above the sample surface, balancing variations in the inner potentials, or surface coatings and/or surface states are the mechanisms responsible for the observed contrast. The present study reports on comparative experiments of these two models and demonstrates that the image contrast can be controlled by the presence of thin-surface metallic coatings Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2005
Počet záznamů: 1