Počet záznamů: 1
Why is it That Differently Doped Regions in Semiconductors are Visible in Low Voltage SEM?
SYS 0100007 LBL 02694^^^^^2200301^^^450 005 20210803154407.3 100 $a 20050609d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a US 200 1-
$a Why is it That Differently Doped Regions in Semiconductors are Visible in Low Voltage SEM? 215 $a 5 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0253232 $1 011 $a 0018-9383 $e 1557-9646 $1 200 1 $a IEEE Transactions on Electron Devices $v Roč. 51, č. 2 (2004), s. 288-292 541 1-
$a Proč jsou různě dopované oblasti v polovodiči viditelné v nízko-napěťovém REM? $z cze 610 0-
$a doping of semiconductors 610 0-
$a SEM imaging 610 0-
$a inspection of patterns 700 -1
$3 cav_un_auth*0014260 $a El Gomati $b M. M. $y GB $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0016094 $a Wells $b T. C. R. $y GB $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0101598 $a Müllerová $b Ilona $p UPT-D $w Electron Microscopy $4 070 $T Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0101547 $a Frank $b Luděk $p UPT-D $w Electron Microscopy $4 070 $T Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0016095 $a Jayakody $b H. $y GB $4 070
Počet záznamů: 1