Paměťový prvek pro uložení n-bitového kódu.

0504382 - ÚCHP 2020 RIV cze P1 - Užitný vzor, průmyslový vzor
Veselý, M. - Dzik, P. - Klusoň, Petr - Morozová, Magdalena - Kubáč, L. - Akrman, J.
Paměťový prvek pro uložení n-bitového kódu.
[Memory element for storing n-bit code.]
2019. Vlastník: Ústav chemických procesů AV ČR, v. v. i . - Centrum organické chemie s.r.o. - Vysoké učení technické v Brně. Datum udělení vzoru: 15.10.2019. Číslo vzoru: 33289
Grant CEP: GA MV VI20162019037
Institucionální podpora: RVO:67985858
Klíčová slova: photocurrent * light sensitivity * semiconductors
Obor OECD: Chemical process engineering
https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/UtilityModels/FullDocuments/FDUM0033/uv033289.pdf

Paměťový prvek je vytvořen ze dvou základních funkčních celků s hierarchickou strukturou. První se skládá z uniformních sférických nanočástic polovodivého metalického oxidu. Ten je dle šířky zakázaného pásu excitovatelný fotony odpovídajících vlnových délek. Jako základní parametr, tzv. kvalitativní veličina, je určována velikost a charakter generovaného fotoproudu. První funkční celek je cíleně částečně překrýván vrstvou tzv. světelné clony. Ta dle míry překrytí vyjadřuje tzv. kvantitativní veličinu, projevující se jako kalibrované tlumení původního signálu.

The memory element is composed of two basic functional forms with a hierarchical structure. The first comprises spherical nanospheres of semiconducting metallic oxide. This layer could be energetically excited by means of photons of an appropriate wave length. The primary evaluated parameter, the qualitative one, is the magnitude and the character of the generated photocurrent. This part is then partially over-coated with a secondary layer of the light filter. The generated photocurrent is then reduced. However, it follows the calibrated pattern. In this way it brings the quantitative feature to the overall system.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0300982