0306889 - FZÚ 2008 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Oswald, Jiří - Atef, M. - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance.
[Struktury s InAs/GaAs kvantovými tečkami pokryté InGaAs pnutí redukující vrstvou charakterizované fotomodulovanou reflektancí.]
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. Roč. 147, - (2008), s. 175-178. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA AV ČR KJB101630601; GA ČR GA202/06/0718
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: optical properties * MOVPE * indium arsenide * gallium arsenide * quantum dots
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Optical properties of MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs covered by thin InxGa1−xAs strain reducing layer were studied by photomodulated reflectance and photoluminescence spectroscopy. The increasing In content in the strain reducing layer shifts the luminescence of quantum dots from 1.25 to 1.46 mum and narrows the photoluminescence linewidth. The strong photoluminescence red shift is caused both by the change of the band structure and the height of quantum dots which.

Optické vlastnosti InAs kvantových teček připravených metodou MOVPE překryté InxGa1−xAs pnutí redukující vrstvou byly studovány fotomodulovanou reflekční a luminiscenční spektroskopií. S rostoucím obsahem In v InxGa1−xAs krycí vrstvě dochází k posuvu emisní vlnové délky od 1,25 do 1,46 mum a zužování emisních linií. Velký posun emise je způsoben změnou pásové struktury a změnou výšky kvantových teček.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0159792