Počet záznamů: 1
Interfernce laser crystallization of microcrystalline silicon using asymmetric beam intensities
- 1.0132975 - FZU-D 20000334 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Rezek, Bohuslav - Nebel, C. M. - Stutzmann, M.
Interfernce laser crystallization of microcrystalline silicon using asymmetric beam intensities.
Journal of Non-Crystalline Solids. 266-269, - (2000), s. 650-653. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010809; GA ČR GA202/98/0669
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.269, rok: 2000
Periodic interference patterns formed by two laser beams of different intensities are used to crystallize films of amorphous and crystalline silicon with nanometer sized crystallites.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030967
Počet záznamů: 1