Počet záznamů: 1  

Interfernce laser crystallization of microcrystalline silicon using asymmetric beam intensities

  1. 1.
    0132975 - FZU-D 20000334 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Rezek, Bohuslav - Nebel, C. M. - Stutzmann, M.
    Interfernce laser crystallization of microcrystalline silicon using asymmetric beam intensities.
    Journal of Non-Crystalline Solids. 266-269, - (2000), s. 650-653. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
    Grant CEP: GA AV ČR IAA1010809; GA ČR GA202/98/0669
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.269, rok: 2000

    Periodic interference patterns formed by two laser beams of different intensities are used to crystallize films of amorphous and crystalline silicon with nanometer sized crystallites.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030967

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.