0132771 - FZU-D 20000023 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hirschinger, J. - Niedernostheide, F. J. - Prettl, W. - Novák, Vít
Current filament patterns in .I.n./I.-GaAs layers with different contact geometries.
Physical Review. B. Roč. 61, č. 3 (2000), s. 1952-1958. ISSN 0163-1829
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.065, rok: 2000

In thin n-GaAs epitaxial layers current filament patterns formed by low-temperature impurity breakdown have been visualized for different contact geometries.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030773