0105913 - URE-Y 20040069 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Šrobár, Fedor - Procházková, Olga
Growth kinetics of thick InP layers.
[Kinetika růstu tlustých vrstev InP.]
ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Piscataway: IEEE, 2004 - (Osvald, J.; Haščík, Š.), s. 65-69. ISBN 0-7803-8535-7.
[Advanced Semiconductor Devices and Microsystems - ASDAM'04 /5./. Smolenice (SK), 17.10.2004-21.10.2004]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA102/03/0379; GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Klíčová slova: epitaxial growth * epitaxial layers * nonlinear systems
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

Applicability of the Burton-Cabrera-Frank model of crystal growth is limited in the case of LPE preparation of thick semiconductor layers due to volume diffusion of constituent atoms. This phenomenon can be accounted for by introducing negative growth-rate dependent correction to supersaturation. The resulting implicit nonlinear problem is solved using the technique of causal diagrams. Theoretical predictions are confronted with experimental data on the growth of thick InP and InP:Nd layers.

Použitelnost modelu růstu krystalů autorů Burtona, Cabrery a Franka je v případě LPE růstu tlustých polovodičových vrstev omezena objemovou difůzí atomů. Tento jev může být respektován zavedením záporné korekce k přesycení, která je funkcí rychlosti růstu. Výsledný implicitní nelineární problém je řešen pomocí metody kauzálních diagramů. Teoretické předpovědi jsou konfrontovány s experimentálními daty, vztahujícími se k růstu tlustých vrstev InP a InP:Nd.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013101