0105894 - URE-Y 20040131 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Pekárek, Ladislav - Žďánský, Karel
Preparation of doped and co-doped indium phosphide single crystals.
[Příprava dopovaných a kodopovaných monokrystalů fosfidu inditého.]
Development of Materials Science in Research and Education. Proceedings of the 14th Joint Seminar. Praha: MAXDORF, 2004 - (Nitsch, K.; Rodová, M.), s. 50-51. ISBN 80-7345-032-1.
[Development of Materials Science in Research and Education - DMS-RE 2004 /14./. Lednice (CZ), 31.08.2004-03.09.2004]
Grant CEP: GA AV ČR IBS2067354
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: crystal growth * semiconductor doping * radiation detection
Kód oboru RIV: JB - Senzory, čidla, měření a regulace

Indium phosphide crystals doped with various impurity atoms were grown by liquid encapsulation Czochralski method. The wafers of the grown crystals were characterized by resistivity an Hall measurements and their suitability for radiation detection was assessed.

Krystaly fosfidu inditého byly vypěstovány metodou Czochralského s kapalným uzávěrem. Destičky z vypěstovaných krystalů byly charakterizovány měřením rezistivity a Hallova napětí a byla zhodnocena jejich vhodnost pro radiační detekci.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013082