0105582 - UJF-V 20043125 RIV CZ eng G - Konferenční sborník (zahraniční konf.)
Prajzler, V. - Hüttel, I. - Špirková, J. - Schröfel, J. - Machovič, V. - Peřina, Vratislav - Říha, K. (ed.) - Andrejsek, J. (ed.) - Houkal, L. (ed.) - Husník, L. - Kabelik, K. (ed.)
Erbium doped gallium nitride thin films.
[Galium-nitridové vrstvy dopované erbiem.]
Praha: Czech Technical University, 2004. 2 s. ISBN 80-01-02945-X. A.
[CTU Reports Proceedings of Workshop 2004. Praha (CZ), 10.02.2003-12.02.2003]
Grant CEP: GA ČR GA104/03/0385
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1048901
Klíčová slova: thin films * erbium * GaN
Kód oboru RIV: BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače

The paper describes the preparation and properties of gallium nitride layers with erbiu content.

Práce pojednává o přípravě a vlastnostech galiumnitridových vrstev s obsahem erbia.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0012819