Low frequency noise and I-V characteristic as characterization tools for 2.3 µm CW GaSb based laser diodes

0104222 - FZU-D 20040564 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Vaněk, J. - Brzokoupil, V. - Chobola, Z. - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomislav
Low frequency noise and I-V characteristic as characterization tools for 2.3 µm CW GaSb based laser diodes.
[Nízkofrekvenční šum a V-A charakteristiky kontinuálních GaSb laserových diod pro 2.3µm.]
Research Activities of Physics Departments of Civil Engineering Faculties in the Czech and Slovak Republics. Brno: Brno University of Technology, 2004 - (Pazdera, L.; Kořenská, M.), s. 184-186. ISBN 80-7204-353-6.
[International Workshop on Research Activities of Physics Departments of Civil Engineering Faculties in the Czech and Slovak Republics. Brno (CZ), 14.09.2004-16.09.2004]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104
Klíčová slova: low frequency noise * GaSb
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Transport and noise characteristic of forward biased 2.3 µm CW GaSb laser diodes were measured in order to evaluate new technology. From the measurement results it follows that noise spectral density related to defects is of 1/f type and its magnitude was found to be proportional to the square of DC forward current at low injection levels

Pro vyhodnocení nové technologie byly změřeny transportní a šumové vlastnosti GaSb laserových diod pro 2.3µm v propustném směru. Z měření vyplývá, že závislost spektrální šumové hustoty způsobené defekty je typu 1/f a její velikost je úměrná čtverci stejnosměrného proudu v propustném směru při nízkých úrovních injekce
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0011499