0100521 - FZU-D 20040377 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Rezek, Bohuslav - Stuchlík, Jiří - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
Microcrystalline silicon thin films studied by atomic force microscopy with electrical current detection.
[Tenké vrstvy mikrokrystalického křemíku studované mikroskopií atomových sil s detekcí elektrických proudů.]
Journal of Applied Physics. Roč. 92, č. 1 (2002), s. 587-593. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010809; GA AV ČR IAB2949101; GA ČR GA202/98/0669
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: amorphous silicon * microcrystalline silicon
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.281, rok: 2002

The growth of .mu.c-Si:H on various substrates [NiCr, device quality, and laser annealed amorphous silicon (a-Si:H)] was studied in ultrahigh vacuum by atomic force microscope using a conductive cantilever which enabled simultaneous measurement of morphology and local current with lateral resolution below 5 nm

Růst .mu.c-Si:H na rozmanitých substrátech [NiCr, amorfní křemík (a-Si:H) v kvalitě pro elektronické prvky a po žíhání laserem byl studován ve velmi vysokém vakuu mikroskopií atomových sil za použití vodivých sond, které umožnily současně měření morfologie a lokálních proudů s prostorovým rozlišením pod 5 nm
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0008021