0100519 - FZU-D 20040375 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Ressel, B. - Di Teodoro, C. - Profeta, G. - Ottaviano, L. - Cháb, Vladimír - Prince, K. C.
Scanning tunneling spectroscopy investigation of the (3x3)R30^o Sn/Si(111) and .gamma. surfaces.
[Rastrovací tunelovací spektroskopie (RTS) na (3x3)R30^o Sn/Si(111) a .gamma. površích.]
Surface Science. Roč. 562, - (2004), s. 128-136. ISSN 0039-6028. E-ISSN 1879-2758
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: tin * silicon * scanning tunneling spectroscopies * surface electronic phenomena (work function, surface potential, surface states, etc.)
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.168, rok: 2004

Scanning tunneling spectroscopy (STS) has been used to investigate the electronic structure of the 1/3 ML Sn_{1 - x}Si_x/Si(111) 2D alloy at 300 K for the two limiting cases of x÷0 and x=0.5 corresponding to the alfa and .gamma. (or mosaic) phases of the Sn induced (3x3)R30^o structure

RTS - byla použita na studium elektronové struktury na slitině Sn/Si při 300^oK pro dva limitní případy, které odpovídají alfa a .gamma. fázím cínu
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0008019