0100050 - FZU-D 20040026 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Kindl, Dobroslav - Toušková, J. - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav - Jurka, Vlastimil - Hubík, Pavel - Mareš, Jiří J. - Krištofik, Jozef
Influence of growth rate on charge transport in GaSb homojunctions prepared by metalorganic vapor phase epitaxy.
[Vliv rychlosti růstu na transport náboje v homogenních přechodech z GaSb připravených epitaxí z organokovů.]
Journal of Applied Physics. Roč. 95, č. 4 (2004), s. 1811-1815. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104; GA ČR GA202/03/0410; GA AV ČR IAA1010404
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: GaSb * p-n homojunction * charge transport * native defects
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.255, rok: 2004

Current-voltage characteristics of GaSb p-n homojunctions prepared by MOVPE were measured in wide temperature range. It was shown that the charge transport is strongly affected by the growth rate of GaSb epitaxial layers

Volt-ampérové charakteristiky homogenních přechodů v GaSb připravených metodou MOVPE byly měřeny v širokém oboru teplot. Ukázalo se, že přenos náboje je výrazně ovlivněn rychlostí růstu epitaxních vrstev GaSb
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0007557