0024829 - ÚMCH 2008 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Horák, Jaromír - Lošták, P. - Drašar, Č. - Dyck, J. S. - Zhou, Z. - Uher, C.
Defect structure of Sb2-xMnxTe3 single crystals.
[Struktura defektů v monokrystalech Sb2-xMnxTe3.]
Journal of Solid State Chemistry. Roč. 178, č. 9 (2005), s. 2907-2912. ISSN 0022-4596. E-ISSN 1095-726X
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z40500505
Klíčová slova: point defects * transport properties
Kód oboru RIV: CG - Elektrochemie
Impakt faktor: 1.725, rok: 2005

The results of transport coefficient measurement of Sb2-xMnxTe3 crystals show the interaction between the incorporated Mn atoms and the antiside defects of the type Sb2-x. This interaction heads to the antiside defect suppression and to Te-vacancies increase.

Výsledky měření transportních koeficientů krystalů Sb2-xMnxTe3 ukázaly, že atomy Mn vestavěné do krystalů SbTe interagují s antistrukturními defekty. Tato interakce vede k potlačení koncentrace antiside defektů a vzrůstu koncentrace vázacího telluru.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0003185