Počet záznamů: 1  

Semiconductor WO.sub.3./sub. thin films deposited by pulsed reactive magnetron sputtering

  1. 1.
    0600482 - FZÚ 2026 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Písaříková, Aneta - Krýsová, Hana - Kapran, Anna - Písařík, Petr - Čada, Martin - Olejníček, Jiří - Hippler, Rainer - Hubička, Zdeněk
    Semiconductor WO3 thin films deposited by pulsed reactive magnetron sputtering.
    Materials Science in Semiconductor Processing. Roč. 186, Feb (2025), č. článku 109034. ISSN 1369-8001. E-ISSN 1873-4081
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EH22_008/0004596
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: HiPIMS * mid-frequency pulsed magnetron sputtering * photocurrent * plasma diagnostics * RF probe * semiconductor films
    Obor OECD: Fluids and plasma physics (including surface physics)
    Impakt faktor: 4.2, rok: 2023 ; AIS: 0.56, rok: 2023
    Způsob publikování: Open access
    DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.109034

    A pulsed reactive magnetron sputtering system with a tungsten target and a gas mixture of argon and oxygen was investigated as a source for the deposition of semiconductor WO3 thin films on soda lime glass substrates and on the glass with transparent conductive SnO2:F (FTO) electrode.
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0357803


    Vědecká data: Zenodo
     
     
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    0600482.pdf04.8 MBCC LicenceVydavatelský postprintpovolen
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.