Počet záznamů: 1  

Simulace proudění plynů a distribuce teploty v mikro-reaktoru

  1. 1.
    0560200 - ÚPT 2023 RIV CZ cze O - Ostatní výsledky
    Neděla, Vilém - Maxa, Jiří - Šabacká, Pavla - Novák, L.
    Simulace proudění plynů a distribuce teploty v mikro-reaktoru.
    [Simulation of gas flow and sample temperature distribution in the micro-reactor device.]
    2021
    Grant CEP: GA TA ČR(CZ) TN01000008
    Institucionální podpora: RVO:68081731
    Klíčová slova: simulation * gas flow * distribution of temperature * micro-reactor
    Obor OECD: Electrical and electronic engineering

    NEDĚLA, V., MAXA, J., ŠABACKÁ, P., NOVÁK, L. Simulace proudění plynů a distribuce teploty v mikro-reaktoru. Brno : Ústav přístrojové techniky AV ČR, 2021. Na základě první série analýz byly provedeny další analýzy, které prokázaly velký vliv fyzikálních vlastností zkoumaného vzorku. U hodnot tepelné vodivosti dosahující 400 V/m.K, dochází ke spolehlivému prohřátí vzorku charakteru krychle po celém objemu i přes nedokonalé spojení styčné plochy vzorku s chipem pro ohřev. Naopak u nízkých hodnot v řádu jednotek V/m.K, nejen že vzorek není prohřátý v celém objemu, a horní část je chladnější, ale při nedokonalém spojení styčné plochy s chipem může dosahovat rozdíl mezi spodní a horní částí až 100 °C.

    NEDĚLA, V., MAXA, J., ŠABACKÁ, P., NOVÁK, L. Simulace proudění plynů a distribuce teploty v mikro-reaktoru. Brno : Ústav přístrojové techniky AV ČR, 2021. Based on the first series of analyses, further analyses were performed which showed a large influence of the physical properties of the sample under study. For thermal conductivity values reaching 400 V/m.K, there is a reliable heating of the cube-like sample over the entire volume despite the imperfect connection of the sample contact surface with the heating chip. Conversely, at low values in the order of units of V/m.K, not only is the sample not heated throughout the volume, and the upper part is cooler, but the difference between the lower and upper parts can be as much as 100 °C if the contact surface with the chip is imperfect.
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0333207

     
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.