Skleněná maska se sub mikronovými otvory

0551708 - ÚPT 2022 RIV CZ cze O - Ostatní výsledky
Brunn, Ondřej - Burda, Daniel - Kolařík, Vladimír - Kopal, Jaroslav
Skleněná maska se sub mikronovými otvory.
[Glass mask with sub micron pinholes.]
2021
Grant CEP: GA TA ČR(CZ) TN01000008
Institucionální podpora: RVO:68081731
Klíčová slova: pinhole * mask * electron lithography
Obor OECD: Nano-processes (applications on nano-scale)

BRUNN, Ondřej, BURDA, Daniel, KOLAŘÍK, Vladimír, KOPAL, Jaroslav. Skleněná maska se sub mikronovými otvory. 2021. Pomocí elektronové litografie je běžné realizovat ve vrstvě elektronového rezistu tloušťky několika stovek nanometrů otvory s průměrem pod mikrometr, při vysokém urychlovacím napětí i pod sto nanometrů. Otázkou je, do jaké neprůhledné vrstvy (materiál, tloušťka) se motiv rezistové masky přenáší. Obecně lze říct, že čím tenčí je neprůhledná vrstva, tím věrnější je přenos geometrie otvoru. Další omezení spočívá v dostupných leptacích technikách pro požadované materiály, z nichž je tvořena nepropustná vrstva.

BRUNN, Ondřej, BURDA, Daniel, KOLAŘÍK, Vladimír, KOPAL, Jaroslav. Skleněná maska se sub mikronovými otvory. 2021. Using electron lithography, it is common to realize several thicknesses in the electron resist layer hundreds of nanometers holes with a diameter below micrometer, at high accelerating voltage even below one hundred nanometers. The question is what opaque layer (material, thickness) the motif of the resist mask transmits. In general, the thinner the opaque layer, the more faithful the geometry transfer hole. Another limitation lies in the available etching techniques for the required materials, of which an impermeable layer is formed.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0326939