Si3Nx fázová destička

0550697 - ÚPT 2022 RIV CZ cze L - Prototyp, funkční vzorek
Sháněl, O. - Schneider, M. - Materna Mikmeková, Eliška - Řiháček, Tomáš - Podstránský, Jáchym - Radlička, Tomáš
Si3Nx fázová destička.
[Si3Nx phase plates.]
Interní kód: APL-2021-05 ; 2021
Technické parametry: Křemíkový čip nesoucí tenkou nitridovou membránu. Rozměr (Okénko v křemíkovém čipu) membrány je čtvercového tvaru o rozměru 100×100 µm. Tloušťka membrány je optimalizovaná tak, aby v posouvala fázi procházejícího svazku o pi/2. Čip je upevněný na platinové clonce o průměru 3 mm a ve středu clonky je malý otvor o rozměrech v jednotkách µm, který byl vytvořen pomoci FIB/SEM, tak aby odpovídal velikosti nultého řádu difrakce v zadní objektivové rovině.
Ekonomické parametry: Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu, s předpokladem smluvního využití s vědeckým a ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Mgr. Tomáš Radlička, Ph.D., radlicka@isibrno.cz.
Grant CEP: GA TA ČR(CZ) TN01000008
Institucionální podpora: RVO:68081731
Klíčová slova: transmission electron microscopy * phase plate * silicon nitride * thin layers
Obor OECD: Electrical and electronic engineering

Fázová destička z nitridu křemíku slouží ke změně fáze procházejících vysokoenergetických elektronů. Nosným substrátem tenké membrány je křemíkový čip připevněný na platinovou nebo zlatou clonku, která zároveň odstiňuje nežádoucí elektrony. Ve středu membrány je vytvořený otvor (pomocí technologie FIB/SEM), tak abychom zajistili, že nulový difrakční řád projde fázovou destičkou bez změny fáze.

Silicon nitride phase plate serves as a phase shift element for high-energy electrons. Silicon is a supporting substrate for a thin membrane that is glued to a platinum or gold aperture. The aperture eliminates unwanted electrons. We made a micrometer size hole in the middle of the membrane (we used FIB/SEM technology) to guarantee that the phase of zero-order of the diffraction is not changed.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0326001