Počet záznamů: 1
Litografická maska
- 1.0544061 - ÚPT 2022 RIV CZ cze L - Prototyp, funkční vzorek
Kolařík, Vladimír - Krátký, Stanislav - Chlumská, Jana - Meluzín, Petr - Matějka, Milan - Burda, Daniel - Ondříšková, Martina - Lalinský, Ondřej - Horodyský, P.
Litografická maska.
[Lithographic mask.]
Interní kód: APL-2021-03 ; 2021
Technické parametry: Základními technickými parametry jsou perioda mřížky a procentuální pokrytí maskovací vrstvy.
Ekonomické parametry: Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu, s předpokladem smluvního využití s vědeckým a ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Bc. Jana Chlumská, chlumska@isibrno.cz
Grant CEP: GA TA ČR(CZ) TN01000008
Institucionální podpora: RVO:68081731
Klíčová slova: electron beam lithography * photomask
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
Pomocí elektronové litografie byla připravena šablona pro fotolitografickou přípravu tenké vodivé mřížky na nevodivé podložce s využitím v elektronové mikroskopii.
A photo mask was prepared using electron–beam lithography. The mask was used for the preparation of a thin conductive grid on a non-conductive substrate by photolithography.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0321117
Počet záznamů: 1